因放射線所致的晶狀體混濁稱為放射性白內(nèi)障。具體表現(xiàn)有下面幾點(diǎn)：
1、紅外線所致白內(nèi)障：
多發(fā)生于玻璃廠和煉鋼廠的工人中，為熔化的高溫玻璃和鋼鐵產(chǎn)生的短波紅外線被晶狀體吸收后，產(chǎn)生晶狀體混濁。初期，晶狀體后皮質(zhì)有空泡、點(diǎn)狀和線狀混濁，類似地蜘蛛網(wǎng)狀，有金黃色結(jié)晶樣光澤。以后逐漸發(fā)展為盤狀混濁。*后發(fā)展為全白內(nèi)障。有時(shí)前囊膜下也有輕微混濁。
2、電離輻射所致白內(nèi)障：
電離輻射的射線包括中子、X線、r線及高能量的B線，照射晶狀體后會(huì)導(dǎo)致白內(nèi)障，發(fā)生白內(nèi)障的潛伏期長(zhǎng)短不等，與放射劑量大小和年齡有直接關(guān)系。劑量大、年齡小者潛伏期短。初期晶狀體后囊膜下有空泡和灰白色顆粒狀混濁。小點(diǎn)狀混濁逐漸發(fā)展為環(huán)狀混濁。前囊膜下皮質(zhì)有點(diǎn)狀、線狀和羽毛狀混濁，從前極向外放射。后期可有盤狀及楔形混濁，*后形成全白內(nèi)障。
3、微波所致白內(nèi)障：
微波來源于太陽射線、宇宙射線和電視、雷達(dá)、微波爐等。大劑量的微波可產(chǎn)生類似于紅外線的熱作用。晶狀體對(duì)微波敏感，因微波的劑量不同可產(chǎn)生晶狀體不同的損害，類似于紅外線所致的白內(nèi)障。晶狀體出現(xiàn)皮質(zhì)點(diǎn)狀混濁，后囊膜下混濁和前皮質(zhì)羽狀混濁。
